Рейтинг:

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon | Модуль (Код: INF-009407)

Производитель: Infineon Technologies

Старая цена: 17 000 руб.

Цена: 14 500 руб.

Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.

Количество на складе: 0

Количество:

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon | Модуль

Описание

Описание:

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 | Infineon | Модуль

технические данные :

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель: Infineon Technologies

Сроки поставки 5-9 недель

Спецификации

Производитель:	Infineon
Категория продукта:	Infineon Technologies → Транзисторные модули IGBT Infineon →
Продукт:	IGBT Silicon Modules
Конфигурация:	Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	35 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	180 nA
Pd - рассеивание мощности:	200 W
Упаковка / блок:	EconoPACK 2
Минимальная рабочая температура:	- 40 C
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Упаковка:	Tray
Торговая марка:	Infineon Technologies
Высота:	17 mm
Длина:	107.5 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Вид монтажа:	Chassis Mount
Тип продукта:	IGBT Modules
	10
Подкатегория:	IGBTs
Технология:	Si
Ширина:	45 mm
Другие названия товара №:	SP000100361 BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Вес изделия:	250.125 g

Аксессуары и аналоги

Отзывы

Отзывы

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

0 Товаров	-	0 руб.
Отложенные товары

Итоговая сумма:	0 руб.
В корзину