Рейтинг:

BSM50GX120DN2 | Infineon | Модуль (Код: INF-009183)

Производитель: Infineon Technologies

Цена: 18 010 руб.

Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.

Количество на складе: 0

Количество:

FS50R12KE3 | Infineon | Модуль

Описание

Описание:

BSM50GX120DN2 | Infineon | Модуль

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO

Производитель: Infineon Technologies .

Сроки поставки 4 недели.

Спецификации

Производитель:	Infineon
Категория продукта:	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт:	IGBT Silicon Modules
Конфигурация:	3-Phase
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	78 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	200 nA
Pd - рассеивание мощности:	400 W
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Упаковка:	Tray
Торговая марка:	Infineon Technologies
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Тип продукта:	IGBT Modules
	10
Подкатегория:	IGBTs
Технология:	Si
Другие названия товара №:	BSM50GX120DN2BOSA1 ~ SP000100372 BSM50GX120DN2BOSA1
Вес изделия:	197.622 g

Аксессуары и аналоги

Отзывы

Отзывы

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

0 Товаров	-	0 руб.
Отложенные товары

Итоговая сумма:	77 209 руб.
В корзину