- Описание
-
Описание:
IXFN38N100Q2 | IXYS | Транзистор
Технические характеристики: IXFN38N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Производитель: IXYS Corporation .
Стандартные сроки поставки: 7-9 недель
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров
Артикул по совпадению:
IXFN38N100Q2
TypeDescriptionCategoryDiscrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETsMfrIXYSSeriesHiPerFET™, Q2 ClassPackagingTubePart StatusActiveFET TypeN-ChannelTechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)1000 VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10VRds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 19A, 10VVgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 VVgs (Max)±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 25 VFET Feature-Power Dissipation (Max)890W (Tc)Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)Grade-Qualification-Mounting TypeChassis MountSupplier Device PackageSOT-227BPackage / CaseSOT-227-4, miniBLOCBase Product NumberIXFN38Environmental & Export ClassificationsAttribute Description RoHS Status ROHS3 Compliant Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) REACH Status REACH Unaffected ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
