- Описание
-
Описание:
SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay | P-канальный силовой MOSFET
Технические характеристики: SQJ469EP-T1_GE3
Силовой P-канальный MOSFET SQJ469EP-T1_GE3 производства Vishay предназначен для применения в автомобильной и промышленной электронике. Транзистор выполнен по технологии TrenchFET® и обеспечивает низкое сопротивление открытого канала, высокую скорость переключения и надежную работу при температуре кристалла до +175 °C. Компонент соответствует требованиям AEC-Q101 и поставляется в корпусе PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа.
Производитель: Vishay
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
SQJ469EP-T1_GE3
Технические данные:
Параметр Значение Серия TrenchFET® Тип изделия P-канальный силовой MOSFET Технология Trench MOSFET Напряжение сток-исток (VDS) -80 В Максимальный ток стока (ID) -32 А (Tc = 25 °C) Сопротивление открытого канала RDS(on) 25 мОм (макс.) при VGS = -10 В Максимальное напряжение затвор-исток (VGS) ±20 В Рассеиваемая мощность 100 Вт Заряд затвора (Qg) 155 нКл (макс.) Входная емкость (Ciss) 5100 пФ (тип.) Корпус PowerPAK® SO-8 Монтаж SMD Рабочая температура перехода -55…+175 °C Квалификация AEC-Q101 Соответствие RoHS Применение:
- Автомобильная электроника
- Системы управления двигателем
- Приводы электродвигателей
- Управление аккумуляторными батареями
- Импульсные источники питания
- DC/DC-преобразователи
- Промышленная силовая электроника
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
