- Описание
-
Обзор продукта:
TPHR6503PL1,LQ | Toshiba | Транзистор
Технические характеристики и спецификация: TPHR6503PL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Серия по производителю Toshiba: MOSFET (Metal Oxide)
Производитель: Toshiba .
Каталог: Полный каталог продукции Toshiba .
Сроки поставки: 7-9 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикулы Toshiba по каталогу и аналогом:
TPHR6503PL1,LQ
TypeDescriptionCategoryDiscrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETsMfrToshiba Semiconductor and StorageSeriesU-MOSIX-HPackagingTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®FET TypeN-ChannelTechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)30 VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs0.65mOhm @ 50A, 10VVgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 VVgs (Max)±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 15 VFET Feature-Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 210W (Tc)Operating Temperature175°CMounting TypeSurface MountSupplier Device Package8-SOP Advance (5x5.75)Package / Case8-PowerTDFNEnvironmental & Export ClassificationsAttribute Description Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
