| TK39N60X,S1F | Toshiba | Транзистор | Datasheet Инструкция (Скачать PDF) |
- Описание
-
Обзор продукта:
TK39N60X,S1F | Toshiba | Транзистор
Технические характеристики и спецификация:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Серия по производителю Toshiba: MOSFET (Metal Oxide)
Производитель: Toshiba .
Каталог: Полный каталог продукции Toshiba .
Сроки поставки: 7-9 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикулы Toshiba по каталогу и аналогом:
TK39N60X,S1F
TypeDescriptionCategoryDiscrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETsMfrToshiba Semiconductor and StorageSeriesDTMOSIV-HPackagingTubeFET TypeN-ChannelTechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)600 VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C38.8A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10VRds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 12.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1.9mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 VVgs (Max)±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 300 VFET Feature-Power Dissipation (Max)270W (Tc)Operating Temperature150°C (TJ)Mounting TypeThrough HoleSupplier Device PackageTO-247Package / CaseTO-247-3Base Product NumberTK39N60Environmental & Export ClassificationsAttribute Description RoHS Status ROHS3 Compliant Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
