- Описание
-
Описание:
IS64WV12816DBLL-12BLA3 | ISSI | Асинхронная SRAM память 2 Мбит
Технические характеристики: IS64WV12816DBLL-12BLA3
Микросхема статической оперативной памяти IS64WV12816DBLL-12BLA3 производства ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) представляет собой высокоскоростную асинхронную SRAM память объемом 2 Мбит с организацией 128K × 16 бит. Устройство выполнено по CMOS-технологии, не требует тактирования и циклов обновления, обеспечивает время доступа 12 нс и предназначено для использования в высокопроизводительных встраиваемых системах. Микросхема выполнена в корпусе 48-TFBGA (6 × 8 мм) для поверхностного монтажа.
Производитель: ISSI
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
IS64WV12816DBLL-12BLA3
Технические данные:
Параметр Значение Серия IS64WV12816DBLL Тип изделия Асинхронная SRAM память Объем памяти 2 Мбит Организация памяти 128K × 16 бит Тип памяти SRAM Интерфейс Параллельный Время доступа 12 нс Время цикла записи 12 нс Напряжение питания 2,4…3,6 В Номинальное напряжение 3,3 В Потребляемый ток до 60 мА Режим ожидания CMOS Low Power Тактирование Не требуется Обновление памяти Не требуется Количество выводов 48 Корпус TFBGA-48 (6 × 8 мм) Монтаж SMD Рабочая температура -40…+125 °C Упаковка Tray Соответствие RoHS Применение:
- Промышленные контроллеры
- Встраиваемые вычислительные системы
- Системы сбора данных
- Телекоммуникационное оборудование
- Медицинская электроника
- Буферная память для процессоров и FPGA
- Промышленная автоматика
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
