Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
585 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT10N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 800V 10A 1.4 To220F
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
602 руб.
Производитель: APSEMI
Количество на складе: 0
AC2M0013120K | APSEMI | SIC MOSFET N-CH 1200V 167A TO247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
762 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF040120T1A1HP | Nexperia USA Inc. | 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
829 руб.
Производитель: iDEAL Semiconductor
Количество на складе: 0
IS20M6R3S1P | iDEAL Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
887 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF030120T1A0HP | Nexperia USA Inc. | 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
897 руб.
Производитель: iDEAL Semiconductor
Количество на складе: 0
IS15M2R5S1T | iDEAL Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 233A TOLL-8L
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
900 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT1113T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 100V 399A 0.9m Toll-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 095 руб.
Производитель: EPC
Количество на складе: 0
EPC2091 | EPC | 100 V EGAN FET, 2 MOHM RDSON, 3.
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 128 руб.
Производитель: Analog Power Inc.
Количество на складе: 0
AMRM82N | Analog Power Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A DFN5X6
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 238 руб.
Производитель: GE Aerospace
Количество на складе: 0
GE1206003A1 | GE Aerospace | SiC MOSFET N-Channel 1200V 60A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 238 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0030120T | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 253 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT1112T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 100V 400A 0.85m Toll
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 422 руб.
Производитель: Cambridge GaN Devices
Количество на складе: 0
CGD65C055SP2 | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 55 MOHM, 27A, BHD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 811 руб.
Производитель: Cambridge GaN Devices
Количество на складе: 0
CGD65C025SP2 | Cambridge GaN Devices | 650V GAN HEMT, 25 MOHM, 60A, BHD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 264 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AMM12S62LB2ZXKMA1 | Infineon Technologies | AMM12S62LB2ZXKMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 463 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AMM12S54LB2ZXKMA1 | Infineon Technologies | AMM12S54LB2ZXKMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 488 руб.
Производитель: NoMIS Power
Количество на складе: 0
N3PT028MP120K | NoMIS Power | 1200 V 28 mOhm SiC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 825 руб.
Производитель: GE Aerospace
Количество на складе: 0
GE1217103A1 | GE Aerospace | SiC MOSFET N-Channel 1200V 171A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 749 руб.
Производитель: NoMIS Power
Количество на складе: 0
N3T080MP330K | NoMIS Power | 3300 V 80 mOhm SiC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
11 249 руб.
Производитель: NoMIS Power
Количество на складе: 0
N3T080MP330 | NoMIS Power | 3300 V 80 mOhm SiC MOSFET Bare D
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 руб.
Производитель: Venkel
Количество на складе: 0
2N7002K-EVA | Venkel | MOSFET Single,SOT-23,60V,300mA,N
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
S2N7002ET1G | onsemi | Small Signal Field-Effect Transi
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
5 руб.
Производитель: Venkel
Количество на складе: 0
MFC7404-EVL | Venkel | MOSFET Single,SOT-323,20V,1A,N-C
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 руб.
Производитель: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Количество на складе: 0
MOT2302B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов