Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 840 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
SCT4013DEHRC11 | Rohm Semiconductor | 750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 261 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX034C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 366 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0080120N | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 80MOHM,1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 508 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMWSH120H18HM3 | Diodes Incorporated | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 508 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMWSH120H18HM4 | Diodes Incorporated | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 587 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMS034C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 34M SIC MOSFET & SBD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 698 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX014C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 14M SIC MOSFET MODULE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 905 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX007C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 7M SIC MOSFET MODULE,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 923 руб.
Производитель: IXYS
Количество на складе: 0
IXSJ80N120R1K | IXYS | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 936 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMWSH120H23SM4Q | Diodes Incorporated | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
3 978 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0030120N | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 30MOHM,1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 316 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C3M0030170D | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET, 30M, 1700V, TO-247-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 327 руб.
Производитель: Diodes Incorporated
Количество на складе: 0
DMWSH120H18HM4Q | Diodes Incorporated | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 496 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMS014C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 14M SIC MOSFET & SBD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
4 880 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0012120N | SMC Diode Solutions | SILICON CARBIDE MOSFET, 12MOHM,1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
6 067 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMS007C120S1-E1 | SemiQ | GEN3 1200V 7M SIC MOSFET & SBD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
34 189 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L420R12D3H7FBPSA1 | Infineon Technologies | F3L420R12D3H7FBPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
12 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL2302S1 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | 20V 2.8A 0.8W 50M@4.5V,2.8A 1V@2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
15 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL3144 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | UNIPOLAR TYPE 3.8V~30V 35MA 450M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
16 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL1271EUA | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | UNIPOLAR TYPE 1.5V~5.5V 5MA TO-9
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
18 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL177 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | 3.5V~24V 40MA 450MW TO-92S
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
19 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL49E | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | 15V 10MA TO-92S
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
23 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL1248EUA | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | OMNIPOLAR TYPE 1.8V~5.5V 5MA TO-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
25 руб.
Производитель: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Количество на складе: 0
SL41HA | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | OMNIPOLAR TYPE 3.8V~60V 40MA 450
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов