Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
215 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL145AFI | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 145MOHM TO-220CFM
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
215 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRFP3206PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IR FET UP TO 60V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
216 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC040N10NS5SCATMA2 | Infineon Technologies | BSC040N10NS5SCATMA2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
217 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SL115DS | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 115MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
217 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SC095DIT | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 95MOHM TO-220CFM-T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
220 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL190DWL | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 190MOHM TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
222 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRFP7537PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IR FET UP TO 60V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
223 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60CM065DT8 | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 65MOHM PDFN 8X8_HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
223 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP12NB3R0TL | YAGEO XSEMI | MOS N 120V 3MOHM TOLL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
224 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SC095DP | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 95MOHM TO-220
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
224 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL130DI | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 130MOHM TO-220CFM
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
225 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC030N10NS5SCE8263ATMA1 | Infineon Technologies | IFX FET >80 - 100V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
226 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IRFB4137PBFAKSA1 | Infineon Technologies | IR FET >60-400V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
226 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL130DR | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 130MOHM TO-262
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
226 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL130DP | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 130MOHM TO-220
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
227 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIRS5702DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
230 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHG11N80AEF-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 800V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
231 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60SC099DDT8 | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 99MOHM PDFN 8X8_HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
236 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC093N15NS5SCATMA2 | Infineon Technologies | BSC093N15NS5SCATMA2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
237 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP60BM115IT | YAGEO XSEMI | MOS N 600V 115MOHM TO-220CFM-T
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
239 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ140ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
239 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC007N04LS6SCATMA2 | Infineon Technologies | BSC007N04LS6SCATMA2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
243 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
BSC014N06NSSCATMA2 | Infineon Technologies | BSC014N06NSSCATMA2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
245 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUAN04S7S004AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V)
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов