Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
19 400 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX3P5B120S7B1 | SemiQ | GEN3 1200V 3.5M SIC MOSFET HALF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
19 987 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | Infineon Technologies | F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
19 987 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F48MXTR12C2M2H11BPSA1 | Infineon Technologies | F48MXTR12C2M2H11BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
20 895 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Infineon Technologies | F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
20 895 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Infineon Technologies | F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
21 828 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX2P3B120S7B1 | SemiQ | GEN3 1200V 2.3M SIC MOSFET HALF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
25 829 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF3MR12KM1HSHPSA1 | Infineon Technologies | FF3MR12KM1HSHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
26 262 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 | Infineon Technologies | FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
27 522 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GCMX003A120S7B1 | SemiQ | 1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
30 129 руб.
Производитель: Infineon Technologies Americas Corp.
Количество на складе: 0
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 | Infineon Technologies Americas Corp. | FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
49 039 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSCSMG170ANPCM15TPAG | Microchip Technology | CC6559
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
49 147 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FF1MR12KM1HSHPSA1 | Infineon Technologies | FF1MR12KM1HSHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
78 674 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS03M1R12A7MA2BHPSA1 | Infineon Technologies | FS03M1R12A7MA2BHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
87 453 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS02MR08A7MA2BHPSA1 | Infineon Technologies | FS02MR08A7MA2BHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
88 120 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSCSM330AM07D3NG | Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-D3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
102 115 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS01M3R08A7MA2BHPSA1 | Infineon Technologies | FS01M3R08A7MA2BHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
102 824 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS01M3R08A8MA2CHPSA1 | Infineon Technologies | FS01M3R08A8MA2CHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
121 078 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc,
Количество на складе: 0
ECB4R3M12YM3L | Wolfspeed, Inc, | SIC, MODULE, 4,3M, 1200V, 152MM,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
127 861 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
FS01MR08A8MA2CHPSA1 | Infineon Technologies | FS01MR08A8MA2CHPSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
143 297 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc,
Количество на складе: 0
ECB2R8M12YM3L | Wolfspeed, Inc, | SIC, MODULE, 2,8M, 1200V, 152MM,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
165 375 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc,
Количество на складе: 0
ECB2R1M12YM3L | Wolfspeed, Inc, | SIC, MODULE, 2,1M, 1200V, 152MM,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
217 969 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
MG400Q2YMS3(DAE) | Toshiba Semiconductor and Storage | SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
262 969 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
MG600Q2YMS3(DAE) | Toshiba Semiconductor and Storage | SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
265 781 руб.
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе: 0
MG400V2YMS3(DAE) | Toshiba Semiconductor and Storage | SIC MOSFET MODULE, 1700V, 400A
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов