Описание:
MICROFC-10035-SMT | ON Semiconductor | Кремниевый фотоумножитель (SiPM)
Технические характеристики: MICROFC-10035-SMT
MICROFC-10035-SMT (серия C-Series), высокочувствительный твердотельный кремниевый фотоумножитель (SiPM / Silicon Photomultiplier) на основе лавинных фотодиодов (APD), работающих в режиме Гейгера. Предназначается для регистрации ультраслабых световых потоков вплоть до единичных фотонов в ближнем ультрафиолетовом и синем диапазонах спектра. Находит широкое применение в медицинском диагностическом оборудовании (ПЭТ-сканеры), лазерных дальномерах и лидарах (LiDAR 3D), физических эксперементальных установках, спектрометрах и системах радиационного контроля. Обладает уникальным «быстрым» выводом (Fast Output) с временем нарастания импульса всего 300 пс для прецизионных временных измерений.
Производитель: ON Semiconductor
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
MICROFC-10035-SMT
Технические данные:
| Параметр |
Значение |
| Тип устройства |
Кремниевый фотоумножитель (SiPM) / Лавинный фотодиод |
| Серия оборудования |
C-Series SiPM |
| Активная площадь датчика |
1.0 x 1.0 мм² |
| Размер микроячейки (Microcell) |
35 мкм
|
| Количество микроячеек в матрице |
504 |
| Эффективность регистрации фотонов (PDE) |
41% (на пиковой длине волны) |
| Пиковая длина волны чувствительности |
420 nm (синий/ближний УФ диапазон) |
| Спектральный диапазон |
300...950 нм |
| Напряжение пробоя (Breakdown Voltage Vbr) |
24.7 В (типичное) |
| Рекомендуемое рабочее напряжение (Bias) |
< 30 В (Vbr + избыточное напряжение перенапряжения) |
| Температурный коэффициент Vbr |
21.5 мВ/°C |
| Время нарастания сигнала (Rise Time) |
300 пс (0.3 нс) на быстром выходе |
| Длительность импульса (Pulse Width) |
600 пс |
| Типичный темновой ток (Dark Current) |
15 нА |
| Плотность темнового счета (DCR) |
30 кГц/мм² |
| Коэффициент усиления (Gain) |
10⁶ (однофотонная чувствительность) |
| Конфигурация выходов |
Стандартный анод, катод + выделенный быстрый выход (Fast Output) |
| Тип монтажа |
Поверхностный (SMD / SMT) |
| Тип корпуса |
MLPM / 4-SMD, No Lead (бессвинцовый, 4-сторонний бесшовный) |
| Габаритные размеры, мм |
1.50 x 1.80 x 0.65 |
| Соответствие RoHS |
Да |
| Рабочая температура, °C |
-40...+85 |
| Применение |
LiDAR, ПЭТ-томография, ядерная физика, детекторы радиоактивного излучения |
