- Описание
-
Описание:MICROFC-30035-SMT | ON Semiconductor | Кремниевый фотоумножитель (SiPM)Технические характеристики: MICROFC-30035-SMT
MICROFC-30035-SMT (серия C-Series), высокочувствительный твердотельный кремниевый фотоумножитель (SiPM / Silicon Photomultiplier) на основе массива лавинных фотодиодов (APD), работающих в режиме Гейгера. Предназначается для прецизионной регистрации ультраслабых световых потоков вплоть до единичных фотонов в ближнем ультрафиолетовом и синем диапазонах спектра. Находит широкое применение в медицинском диагностическом оборудовании (ПЭТ-сканеры), лазерных дальномерах и лидарах (LiDAR 3D), физических экспериментальных установках, спектрометрах и системах радиационного контроля. Обладает уникальным «быстрым» выводом (Fast Output) с временем нарастания импульса всего 300 пс для прецизионных временных измерений.Производитель: ON SemiconductorОриентировочные сроки поставки: 5-8 недель.Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.Артикул по производителю:
MICROFC-30035-SMTТехнические данные:Параметр Значение Тип устройства Кремниевый фотоумножитель (SiPM) / Лавинный фотодиод Серия оборудования C-Series SiPM Активная площадь датчика 3.0 x 3.0 мм (9 мм²) Размер микроячейки (Microcell) 35 мкм Количество микроячеек в матрице 4774 Эффективность регистрации фотонов (PDE) > 40% (на пиковой длине волны) Пиковая длина волны чувствительности 420 нм (синий/ближний УФ диапазон) Спектральный диапазон 300...950 нм Напряжение пробоя (Breakdown Voltage Vbr) 24.7 В (типичное) Рекомендуемое рабочее напряжение (Bias) < 30 В (Vbr + избыточное напряжение перенапряжения) Температурный коэффициент Vbr 21.5 мВ/°C Время нарастания сигнала (Rise Time) 300 пс (0.3 нс) на быстром выходе Длительность импульса (Pulse Width) 600 пс (0.6 нс) Типичный темновой ток (Dark Current) 154 нА Плотность темнового счета (DCR) 30 кГц/мм² Коэффициент усиления (Gain) 10⁶ (однофотонная чувствительность) Конфигурация выходов Стандартный анод, катод + выделенный быстрый выход (Fast Output) Тип монтажа Поверхностный (SMD / SMT) Тип корпуса CWDFN-4 / 4-SMD, No Lead (бессвинцовый, 4-сторонний бесшовный) Габаритные размеры платы, мм 4.00 x 4.00 Соответствие RoHS Да Рабочая температура, °C -40...+85 Применение LiDAR, ПЭТ-томография, ядерная физика, детекторы радиоактивного излучения - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
