- Описание
-
Описание:MICROFC-60035-SMT | ON Semiconductor | Кремниевый фотоумножитель (SiPM)Технические характеристики: MICROFC-60035-SMT
MICROFC-60035-SMT (серия C-Series), высокочувствительный твердотельный кремниевый фотоумножитель (SiPM / Silicon Photomultiplier) на основе массива лавинных фотодиодов (APD), работающих в режиме Гейгера. Предназначается для прецизионной регистрации ультраслабых световых потоков вплоть до единичных фотонов в ближнем ультрафиолетовом и синем диапазонах спектра. Находит широкое применение в медицинском диагностическом оборудовании (ПЭТ-сканеры), лазерных дальномерах и лидарах (LiDAR 3D), физических экспериментальных установках, спектрометрах и системах радиационного контроля. Обладает уникальным «быстрым» выводом (Fast Output) с временем нарастания импульса всего 300 пс для прецизионных временных измерений.Производитель: ON SemiconductorОриентировочные сроки поставки: 5-8 недель.Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.Артикул по производителю:
MICROFC-60035-SMTТехнические данные:Параметр Значение Тип устройства Кремниевый фотоумножитель (SiPM) / Лавинный фотодиод Серия оборудования C-Series SiPM Активная площадь датчика 6.0 x 6.0 мм (36 мм²) Размер микроячейки (Microcell) 35 мкм Количество микроячеек в матрице 18980 Эффективность регистрации фотонов (PDE) > 40% (на пиковой длине волны) Пиковая длина волны чувствительности 420 нм (синий/ближний УФ диапазон) Спектральный диапазон 300...950 нм Напряжение пробоя (Breakdown Voltage Vbr) 24.7 В (типичное) Рекомендуемое рабочее напряжение (Bias) < 30 В (Vbr + избыточное напряжение перенапряжения) Температурный коэффициент Vbr 21.5 мВ/°C Время нарастания сигнала (Rise Time) 300 пс (0.3 нс) на быстром выходе / 1 нс на стандартном Длительность импульса (Pulse Width) 600 пс (0.6 нс) Типичный темновой ток (Dark Current) 618 нА (до 1.75 мкА максимум) Плотность темнового счета (DCR) 30 кГц/мм² Коэффициент усиления (Gain) 10⁶ (однофотонная чувствительность) Конфигурация выходов Стандартный анод, катод + выделенный быстрый выход (Fast Output) Тип монтажа Поверхностный (SMD / SMT) Тип корпуса CWDFN-4 / MLP-4 / 4-SMD, No Lead (бессвинцовый, 4-сторонний бесшовный) Габаритные размеры платы, мм 7.00 x 7.00 x 0.65 Соответствие RoHS Да Рабочая температура, °C -40...+85 Применение LiDAR, ПЭТ-томография, ядерная физика, детекторы радиоактивного излучения - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
