SEMiX503GB126v1 | Semikron | Модуль

Описание:

SEMiX503GB126v1 | Semikron | Модуль

Технические характеристики SEMiX503GB126v1

Силовой модуль на базе IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Производитель: Semikron 

Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.

Артикул по производителю:

SEMiX503GB126v1 

Технические данные:

• Тип модуля: Полумостовая топология (Half-bridge).
• Рабочее напряжение: 1200 В (1.2 кВ).
• Номинальный ток: 300 А. В некоторых источниках упоминаются пиковые значения до 800 А.
• Технология чипа: Trenchgate (канавочный затвор) на гомогенном кремнии (Homogeneous Si).
• Корпус: SEMiX 3s.