| SKM300GAL128D | Semikron | Модуль | Datasheet Инструкция (Скачать PDF) |
- Описание
-
Описание:
SKM300GAL128D | Semikron | Модуль
Технические характеристики SKM 300GAL128D :
Производитель Semikron.
сроки поставки 3-5 недель
Группа Тиристорные модули SKM
SKM300GB128D, SKM300GAL128D
Модули SPT IGBT-транзисторов SEMITRANS 3
Отличительные особенности:
- Гомогенная кремниевая структура
- Технология SPT
- Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока коллектора при ограничении напряжения на затворе
Области применения:
- Инверторы переменного тока для регулирования скорости в электроприводах
- Источники бесперебойного питания
- Инверторы сварочных аппаратов с частотами преобразования до 20 кГц
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения IGBT-транзистор VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200 В IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 370 (265) А ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп = 1 мс 400 А VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В Tvj, (Tstg) эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) Tрабочая <= Tstg - 40 ... + (150) 125 °C VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 4000 В Обратный диод IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 260 (180) A IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 400 A IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1800 A Свободный диод IF прямой ток Tc = 25 (80) °C 260 (180) A IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп = 1 мс 400 A IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1800 A Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения IGBT-транзистор VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 8 мА 4,5 5,5 6,5 В ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C 0,2 0,6 мА VCE(TO) постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер Tj = 25 (125) °C 1 (0,9) 1,15 (1,05) В rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C 4,5 (6) 6 (7,5) мОм VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 200 A, VGE = 15В, на уровне кристалла 1,9 (2,1) 2,35 (2,55) В Cies входная емкость при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц 17 нФ Coes выходная емкость 2 нФ Cres обратная переходная емкость 1,9 нФ LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера 20 нГн RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C 0,35 (0,5) мОм td(on) длительность задержки включения VCC = 600 В, ICnom = 200 A 170 нс tr время нарастания RGon = RGoff = 5 Ом, Tj = 125 °C 55 нс td(off) длительность задержки выключения VGE = ± 15В 660 нс tf время спада 60 нс Eon (Eoff) рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) 22 (22) мДж Обратный диод VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 200 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C 2 (1,8) 2,5 В V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C 1,1 1,2 В rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C 4,5 6,5 мОм IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 200 A; Tj = 125 ( ) °C 280 A Qrr заряд восстановления di/dt = 6300 A/мкс 33 мкКл Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В 11 мДж Свободный диод VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 200 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C 2 (1,8) 2,5 В V(TO) пороговое напряжение Tj = 125 () °C 1,1 1,2 В rT дифференциальное сопротивление Tj = 125 () °C 4,5 6,5 мОм IRRM максимальный ток обратного восстановления IFnom = 200 A; Tj = 125 ( ) °C 280 A Qrr заряд восстановления di/dt = 6300 A/мкс 33 мкКл Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение VGE = 0В 11 мДж Тепловые характеристики Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT 0,085 K/Вт Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода 0,18 K/Вт Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода 0,18 K/Вт Rth(c-s) тепловое сопротивление переход-корпус для модуля 0,038 K/Вт Механические данные Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3 5 Н · м Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5 5 Н · м w масса 325 грамм - IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
