| SKM400GB123D | Semikron | Модуль | Datasheet Инструкция (Скачать PDF) |
- Описание
-
Описание:
SKM400GB123D | Semikron | Модуль
Технические характеристики SKM400GB123D:
SKM400GB123D | Semikron | Модуль IGBT
семейство SEMITRANS, напряжение (V) 1200, ток (A) 300, Chip-Type NPT IGBT (Standard), корпус SEMITRANS 3Switches 2
Производитель Semikron
Сроки поставки 6-8 недель
Характеристики
Марка / Серия Серия IGBT Емкость, Ворота 22 нФ Тип канала N конфигурация двойственный Ток, коллекционер 400 A Текущий, непрерывный коллектор 400 A Габаритные размеры 106,4 х 61,4 х 30,5 мм Рейтинг энергии 78 мДж Время падения 80 нс Высота 1.201 "(30,5 мм) длина 4,188 "(106,4 мм) Тип монтажа Винт Количество контактов 7 Рабочая температура и температура хранения От -40 до +150 ° C Тип упаковки D 56 полярность N-Channel Первичный тип си Сопротивление, тепловое соединение, переход к корпусу 0,05 К / Вт Потеря коммутации 38 мДж Температура, работа, максимум +150 ° C Температура, рабочая, минимальная -40 ° C Температура, работа, диапазон От -40 до +150 ° C Время, подъем 115 нс Тип транзистора IGBT Тип стандарт Напряжение, пробой, коллектор для излучателя 1200 В Напряжение, коллектор для излучателя 1200 В Напряжение, коллектор для короткого замыкания излучателя 1200 В Напряжение, порог ворот, диапазон 5,5 В (тип). Напряжение, Ворота к излучателю ± 20 В Напряжение, насыщенность, коллектор для излучателя 1200 В Ширина 2,417 "(61,4 мм) - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
