2MBI650VXA-170E-50 | FUJI | Модуль

Описание: 

2MBI650VXA-170E-50 | FUJI | Модуль

Технические характеристики:

V серия. Напряжение: 1700 V; Ток: 650 А.

• Производители →
 
• FUJI →
 
• Модули IGBT на 1700В FUJI →

Производитель: FUJI .

Сроки поставки: 5-7 недель

2MBI650VXA-170E-50 — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для работы в высоковольтных и сильноточных схемах. Вот его основные характеристики и описание:

| **Параметр** | **Значение** |
|----------------------------|---------------------------------------------|
| **Производитель** | Fuji Electric |
| **Тип модуля** | IGBT, сдвоенный (Dual N Channel) |
| **Максимальное напряжение** коллектор-эмиттер (Vces) | 2,1 кВ |
| **Пробивное напряжение** коллектор-эмиттер (V(br)ceo) | 1,7 кВ |
| **Постоянный ток коллектора** | 650 А |
| **Пиковый ток коллектора** | 900 А |
| **Рассеиваемая мощность** | 4,15 кВт |
| **Корпус** | Модуль |
| **Количество выводов** | 10 |
| **Рабочий диапазон температур** | Не указан в кратком описании, см. даташит |
| **Соответствие RoHS** | Да |

Особенности:
- Модуль рассчитан на высокие токи и напряжения, что делает его подходящим для применения в инверторах, источниках питания, приводах электродвигателей и других мощных преобразователях.
- Поддерживает работу с напряжениями до 1700 В и токами до 900 А (пик).
- Высокая надежность и эффективность благодаря современной технологии IGBT.
- Соответствует экологическим стандартам RoHS.

Варианты написания:
2MBI650VXA170E50, 2MBI650VXA 170E 50