- Описание
-
Описание:
MRFE6VP61K25HR5 | NXP Semiconductors | RF LDMOS транзистор высокой мощности
Технические характеристики: MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5 — высокомощный RF LDMOS транзистор производства NXP Semiconductors, предназначенный для усиления радиочастотных сигналов в диапазоне примерно до 230 МГц.
Устройство выполнено по технологии LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) и рассчитано на работу в усилителях высокой мощности с высокой устойчивостью к рассогласованию нагрузки (high VSWR ruggedness). Применяется в передатчиках и промышленных радиочастотных системах.
Транзистор обеспечивает высокое усиление и выходную мощность и предназначен для использования в push-pull и однотактных схемах усилителей мощности.
Производитель: NXP Semiconductors
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
MRFE6VP61K25HR5
Технические данные:
Параметр Значение Производитель NXP Semiconductors Артикул MRFE6VP61K25HR5 Тип устройства RF LDMOS транзистор Технология LDMOS Диапазон частот до ~230 MHz Выходная мощность до 1250 W Усиление ~24 dB Напряжение питания до 50 V (характеризация), max 133 V rated Конфигурация Dual / push-pull Корпус NI-1230 Монтаж шасси (chassis mount) Область применения радиопередатчики, промышленный RF, связь Применение:
FM/AM радиопередатчики, промышленный RF нагрев, плазменные и лазерные источники, радиосвязь, вещательные системы, силовые RF усилители.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
