Рейтинг:

IXFN32N100P | IXYS | Транзистор

Производитель: IXYS
Цена: 4 000 руб.
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
Количество на складе: 0
Количество:
Описание

Описание:

IXFN32N100P | IXYS | Транзистор

Технические характеристики:

IXFN32N100P MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные

Производитель: IXYS Corporation .

Стандартные сроки поставки: 3-5 недель

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров

Дополнительные наименования:

IXFN32N100P

IXFN32N100P — это силовой N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) производства компании Littelfuse (после приобретения ею подразделения полупроводников IXYS). Компонент предназначен для работы в высоковольтных цепях и выпускается в корпусе SOT-227B (miniBLOC), который обеспечивает электрическую изоляцию от теплоотвода.

Основные технические характеристики:

Параметр Значение
Производитель Littelfuse / IXYS
Тип транзистора N-Channel, MOSFET
Корпус SOT-227B (изолированный крепежный фланец)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1000 В (1 кВ)
Непрерывный ток стока (Id) при +25 °C 27 А (в названии серии «32» часто указывает на импульсные или предельные значения)
Импульсный ток стока (IDM) 128 А
Сопротивление открытого канала (Rds(on)) не более 0.46 Ом при Vgs=10В
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) 5.0 В (типичное значение)
Общий заряд затвора (Qg) 225 нКл (при напряжении затвор-исток 10 В)
Входная емкость (Ciss) 14200 пФ
Время нарастания/спада Время нарастания (tr) около 300 нс; время спада (tf) около 2.2 мкс
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) до 830 Вт (при температуре корпуса +25 °C)
Диапазон температур Рабочий диапазон перехода: от -55 °C до +150 °C

Особенности конструкции:

  • Технология HiPerFET: Объединяет быстродействие с высокой способностью выдерживать лавинный пробой (avalanche energy rating).
  • Изолированный корпус: Позволяет устанавливать несколько приборов на один общий радиатор без изолирующих прокладок, упрощая отвод тепла.
  • Низкая индуктивность выводов, что критически важно для силовых высокочастотных применений.

Области применения: Благодаря способности работать с напряжениями до 1000 В и высоким пиковым токам, данный транзистор используется в следующих устройствах:

  • Коррекция коэффициента мощности (PFC)
  • Импульсные блоки питания большой мощности
  • Инверторы для систем возобновляемой энергетики (солнечные станции)
  • Драйверы электродвигателей постоянного тока
  • Электронная нагрузка и тестовое оборудование
  • Сварочные аппараты и генераторы плазмы

 

Аксессуары и аналоги
Отзывы
Отзывы
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов