- Описание
-
Описание:
IXFN32N120P | IXYS | Транзистор
Технические характеристики:
IXFN32N120P MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Производитель: IXYS Corporation .
сроки поставки: 5-8 недель
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров
Дополнительные наименования:
IXFN32N120P
IXFN32N120P — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор (Polar HiPerFET) производства компании IXYS (входит в состав Littelfuse), предназначенный для работы в высоковольтных силовых цепях.
Основные технические характеристики:
Параметр Значение Тип канала N-канал, режим обогащения (Enhancement Mode) Максимальное напряжение сток-исток (VDSSV_{DSS}VDSS) 1200 В Постоянный ток стока при TC=25∘CT_C = 25^\circ CTC=25∘C (ID25I_{D25}ID25) 32 А Сопротивление открытого канала (RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on)) не более 310 мОм (при VGS=10V_{GS} = 10VGS=10 В) Заряд затвора (QgQ_gQg) около 260 нКл Время обратного восстановления диода (trrt_{rr}trr) ≤300\le 300≤300 нс Корпус SOT-227B (также известен как miniBLOC или ISOPLUS-SMPD) Особенности Avalanche Rated (стойкость к лавинному пробою), быстрый встроенный антипараллельный диод Ключевые особенности и преимущества серии Polar HiPerFET:
- Высокое рабочее напряжение: 1200 В позволяют использовать транзистор в промышленных сетях переменного тока до 690 В без риска пробоя от коммутационных всплесков.
- Низкое сопротивление канала: Для напряжения 1200 В значение 310 мОм является низким, что обеспечивает минимальные статические потери на проводимость.
- Быстрый собственный диод: Малое время восстановления (trrt_{rr}trr) критически важно для мостовых схем, корректоров коэффициента мощности (PFC) и резонансных преобразователей, так как снижает динамические потери и уровень электромагнитных помех.
- Высокая плотность мощности: Корпус SOT-227B представляет собой медное основание с изолирующей керамической прокладкой. Он предназначен для монтажа непосредственно на радиатор через винтовое соединение (M4). Это обеспечивает отличный отвод тепла и позволяет кристаллу работать на высоких плотностях тока.
Области применения: Транзистор разработан для тяжелых условий эксплуатации и используется в следующих устройствах:
- Индукционный нагрев и плавка металлов.
- Сварочные аппараты высокой мощности.
- Мощные импульсные источники питания (SMPS).
- Корректоры коэффициента мощности (PFC) первого типа.
- Драйверы электродвигателей высокого напряжения.
- Медицинское оборудование (рентгеновские генераторы).
- Тяговые инверторы электропоездов и другого железнодорожного транспорта.
При проектировании печатной платы необходимо уделять особое внимание минимизации паразитной индуктивности цепи истока, а также обеспечивать надежный прижим корпуса к теплоотводу с использованием теплопроводящей пасты и изоляционной прокладки.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
