- Описание
-
Описание:
MBN750H65E2 | HITACHI | Модуль IGBT
Технические характеристики: MBN750H65E2
Модуль IGBT MBN750H65E2 750A 6500V силовой модуль полупроводниковый Hitachi
Производитель: HITACHI
Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.
Артикул по производителю:
MBN750H65E2
Технические данные:
Модель MBN750H65E2 Тип IGBT Power Module Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) 6500 V Номинальный ток коллектора DC 750 A Импульсный ток (1 ms) 1500 A Ток встроенного диода 750 A Напряжение затвор-эмиттер ±20 V Рабочая температура кристалла -40…+125°C Изоляция 10.2 kV AC / 1 min Масса ~1550 г - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

