Рейтинг:

BSM25GD120DN2E | Infineon | Модуль (Код: INFI-0509406)

Производитель: Infineon Technologies

Старая цена: 15 000 руб.

Цена: 12 529 руб.

Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.

Количество на складе: 0

Количество:

Описание

Описание:

BSM25GD120DN2E | Infineon | Модуль

Производитель: Infineon Technologies.

Сроки поставки: 5-9 недель

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров

Спецификация:

Manufacturer:	Infineon
Product Category:	Infineon Technologies → Транзисторные модули IGBT Infineon →
Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:	35 A
Gate-Emitter Leakage Current:	180 nA
Pd - Power Dissipation:	200 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tray
Brand:	Infineon Technologies
Product Type:	IGBT Modules
Subcategory:	IGBTs
Part # Aliases:	BSM25GD120DN2E3224 SP005422358

Аксессуары и аналоги

Отзывы

Отзывы

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

0 Товаров	-	0 руб.
Отложенные товары

Итоговая сумма:	0 руб.
В корзину

Заказать обратный звонок