Рейтинг:

BSM50GB170DN2 | Infineon | Модуль (Код: INF-009324)

Производитель: Infineon Technologies

Цена: 5 200 руб.

Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.

Количество на складе: 0

Количество:

BSM50GB170DN2 | Infineon | Модуль

Описание

Описание:

BSM50GB170DN2 | Infineon | Модуль

Технические данные :

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE

Производитель: Infineon Technologies .

Сроки поставки 4 недели.

Спецификации

Производитель:	Infineon
Категория продукта:	Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт:	IGBT Silicon Modules
Конфигурация:	Half Bridge
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	3.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	72 A
Ток утечки затвор-эмиттер:	320 nA
Pd - рассеивание мощности:	500 W
Упаковка / блок:	Half Bridge1
Минимальная рабочая температура:	- 40 C
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Торговая марка:	Infineon Technologies
Высота:	30.5 mm
Длина:	94 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Вид монтажа:	Chassis Mount
Тип продукта:	IGBT Modules
	10
Подкатегория:	IGBTs
Технология:	Si
Ширина:	34 mm
Другие названия товара №:	SP000100463 BSM50GB170DN2HOSA1

Аксессуары и аналоги

Отзывы

Отзывы

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

0 Товаров	-	0 руб.
Отложенные товары

Итоговая сумма:	0 руб.
В корзину