- Описание
-
Описание:
BSM75GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies Транзисторные модули IGBT IGBT 2 MED POWER 34MM-1 .
Технические характеристики: BSM75GB120DN2HOSA1
Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
Производитель: Infineon Technologies.
Обычные сроки поставки: 7-9 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикул по совпадению:
BSM75GB120DN2HOSA1
BSM75GB120DN2
Описание БТИЗ силовой модуль AG320Структура полумост Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625 Рабочая температура (Tj), °C +150(max) Корпус HALF-BRIDGE 1 Вес, г 250 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
