- Описание
-
Описание:
FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Транзисторные модули IGBT IGBT MODULE 1200V 150A .
Технические характеристики: FF150R12RT4
Производитель: Infineon Technologies.
Обычные сроки поставки: 7-9 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикул по совпадению:
FF150R12RT4
FF150R12RT4HOSA1
Описание
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.Технические параметры
Структура полумост Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 150 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 790 Рабочая температура (Tj), °C -40…+150 Корпус AG-34MM Вес, г 160 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
