- Описание
-
Описание:
FZ400R12KS4 | Infineon | Модуль
Технические характеристики: FZ400R12KS4
Производитель: Infineon Technologies.
Обычные сроки поставки: 7-9 недель
Для уточнения точных сроков и цены, свяжитесь с нашими сотрудниками
Артикул по совпадению: FZ400R12KS4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT ModulesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-Module/ IGBT-inverterТехнические параметры
Brand: Infineon Technologies Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.2 V Configuration: Single Continuous Collector Current at 25 C: 510 A Factory Pack Quantity: 10 Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Manufacturer: Infineon Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: +125 C Minimum Operating Temperature: -40 C Mounting Style: Screw Mount Package/Case: 62 mm Packaging: Tray Part # Aliases: SP000100708 FZ400R12KS4HOSA1 Pd - Power Dissipation: 2.5 kW Product Category: IGBT Modules Product Type: IGBT Modules Product: IGBT Modules Subcategory: IGBTs Technology: Si Вид монтажа Chassis Mount Высота 36.5 mm Длина 106.4 mm Другие названия товара № SP000100708 FZ400R12KS4HOSA1 Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат Конфигурация Single Dual Emitter Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Минимальная рабочая температура 40 C Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 510 A Подкатегория IGBTs Продукт IGBT Silicon Modules Размер фабричной упаковки 10 Серия IGBT2 Fast Технология Si Тип продукта IGBT Modules Торговая марка Infineon Technologies Упаковка Tray Упаковка / блок 62 mm Ширина 61.4 mm Вес, г 340 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
Работаем с 8.30 - до 17.30
| 0 Товаров | - | 0 руб. |
| Отложенные товары | ||
| Итоговая сумма: | 1 229 193 руб. |
| В корзину | |
