- Описание
-
Описание:
DMT10H017LPD-13 | Diodes Incorporated | Транзистор
Технические данные: DMT10H017LPD-13
DMT10H017LPD-13 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель: Diodes Incorporated .
Стандартные сроки поставки: 7-9 недель
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров
Дополнительные наименования:
DMT10H017LPD-13
Полевые МОП-транзисторы DMTx
Diodes Incorporated МОП-транзисторы DMTx представляют собой N-канальные полевые МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии и быстрым переключением. Эти полевые МОП-транзисторы также разработаны с учетом строгих требований автомобильных приложений. Diodes Incorporated DMTx MOSFET идеально подходят для высокоэффективных приложений управления питанием.Технические параметры
Brand: Diodes Incorporated Channel Mode: Enhancement Configuration: Dual Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500 Id - Continuous Drain Current: 54.7 A Manufacturer: Diodes Incorporated Maximum Operating Temperature: +150 C Minimum Operating Temperature: -55 C Mounting Style: SMD/SMT Number of Channels: 2 Channel Package / Case: PowerDI5060-8 Pd - Power Dissipation: 78 W Product Category: MOSFET Product Type: MOSFET Qg - Gate Charge: 28.6 nC Rds On - Drain-Source Resistance: 17.4 mOhms Subcategory: MOSFETs Technology: Si Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Вес, г 977 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
Работаем с 8.30 - до 17.30
| 0 Товаров | - | 0 руб. |
| Отложенные товары | ||
| Итоговая сумма: | 1 315 736 руб. |
| В корзину | |
