Рейтинг:

IXFN32N100Q3 | IXYS | Транзистор

Производитель: IXYS

Цена: 4 000 руб.

Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.

Количество на складе: 0

Количество:

Описание

Описание:

IXFN32N100Q3 | IXYS | Транзистор

Технические характеристики:

IXFN32N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B

Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные

Производитель: IXYS Corporation .

Стандартные сроки поставки: 3-5 недель

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров

Дополнительные наименования:

IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3 — это силовой N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный компанией IXYS (в настоящее время входит в состав Littelfuse). Он относится к семейству HiPerFET™, которое объединяет высокую скорость переключения с повышенной устойчивостью к лавинному пробою. Компонент предназначен для применения в высоковольтных преобразователях и импульсных источниках питания.

Ключевые характеристики:

Параметр	Значение
Тип канала	N-канал (Enhancement Mode)
Максимальное напряжение сток-исток ( $V_{DSS}$ )	1000 В
Постоянный ток стока при $Tc=25∘CT_c = 25^\circ C$ ( $I_{D25}$ )	28 А (корпус SOT-227B допускает до 32 А пиковых нагрузок)
Сопротивление открытого канала ( $R_{DS(on)}$ )	не более 0.45 Ом при $V_{GS} = 10В$
Общее сопротивление цепи затвора ( $R_G$ )	1.65 Ом (типовое значение)
Заряд затвора ( $Q_g$ )	около 200 нКл (при $V_{GS}=10В$ )
Время обратного восстановления диода ( $t_{rr}$ )	250 нс (Fast Intrinsic Rectifier)
Технология корпуса	SOT-227B (miniBLOC), изолированное основание
Тепловое сопротивление кристалл-корпус ( $RθJCR_{\theta JC}$ )	0.35 °C/Вт
Рабочий диапазон температур перехода ( $T_J$ )	от -55 до +150 °C
Напряжение затвор-исток ( $V_{GS}$ )	$±20\pm 20$ В (максимум)
Энергия одиночного импульса в лавинном режиме ( $E_{AS}$ )	~3 Дж

Особенности серии HiPerFET™:

Высокая скорость коммутации: Благодаря низкой входной емкости и быстрому встроенному антипараллельному диоду транзистор эффективно работает на частотах до нескольких сотен килогерц.
Avalanche Rated: Транзистор рассчитан на работу в режимах с жестким переключением индуктивной нагрузки без риска выхода из строя при выбросах напряжения.
Высокое значение dv/dt: Устойчив к быстрым изменениям напряжения между стоком и истоком.
Низкое тепловое сопротивление: Изолированный корпус позволяет монтировать несколько приборов на один общий радиатор без дополнительных изоляционных прокладок.

Основные области применения:

Коррекция коэффициента мощности (PFC).
Силовые инверторы для индукционного нагрева и плавки металлов.
Импульсные блоки питания высокой мощности (SMPS).
Драйверы электродвигателей постоянного тока.
Активные корректоры коэффициента мощности и мостовые схемы.
Сварочные аппараты и генераторы плазмы.

При проектировании печатных плат необходимо уделять особое внимание минимизации паразитной индуктивности цепей стока и истока, а также обеспечивать эффективное охлаждение корпуса SOT-227B. Для управления затвором рекомендуется использовать драйверы с выходным током не менее 2–4 А для обеспечения заявленной скорости переключения.

Аксессуары и аналоги

Отзывы

Отзывы

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

0 Товаров	-	0 руб.
Отложенные товары

Итоговая сумма:	0 руб.
В корзину

Заказать обратный звонок

IXFN32N100Q3 | IXYS | Транзистор