- Описание
-
Описание:
IXFN32N80P | IXYS | Транзистор
Технические характеристики:
IXFN32N80P MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Производитель: IXYS Corporation .
Стандартные сроки поставки: 3-5 недель
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров
Дополнительные наименования:
IXFN32N80P
IXFN32N80P — это силовой N-канальный MOSFET-транзистор производства компании IXYS (в настоящее время часть Littelfuse), относящийся к семейству PolarHV HiPerFET. Он предназначен для работы в высоковольтных цепях с жесткими режимами переключения.
Ключевые особенности:
- Технология: PolarHV HiPerFET, обеспечивающая высокую скорость переключения и устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Rated).
- Корпус: SOT-227B (также известен как miniBLOC). Это изолированный корпус, который позволяет монтировать транзистор непосредственно на радиатор без дополнительных изоляционных прокладок, упрощая отвод тепла.
- Назначение: Используется в импульсных источниках питания, инверторах, корректорах коэффициента мощности (PFC), электроприводах постоянного тока, сварочных аппаратах и зарядных устройствах большой мощности.
Основные электрические характеристики (при TC=25∘CT_C = 25^\circ CTC=25∘C, если не указано иное):
Параметр Обозначение Значение Максимальное напряжение сток-исток VDSSV_{DSS}VDSS 800 В Постоянный ток стока (при 25∘C25^\circ C25∘C) ID25I_{D25}ID25 29 А Импульсный ток стока (tp=1t_p = 1tp=1 мс) IDMI_{DM}IDM 116 А Сопротивление открытого канала RDS(on)R_{DS(on)}RDS(on) ≤0.27\le 0.27≤0.27 Ом Максимальная рассеиваемая мощность PDP_DPD 625 Вт Общий заряд затвора QgQ_gQg 150 нКл Входная емкость CissC_{iss}Ciss 8820 пФ Время обратного восстановления диода trrt_{rr}trr 250 нс Тепловое сопротивление кристалл-корпус RθJCR_{\theta JC}RθJC 0.20 °C/Вт Диапазон рабочих температур TJT_JTJ от −55-55−55 до +150+150+150 °C Особенности применения:
- Высокая энергия лавинного пробоя (EASE_{AS}EAS): Транзистор способен выдерживать импульсы перенапряжения без выхода из строя, что критически важно для индуктивных нагрузок.
- Низкое тепловое сопротивление: Благодаря значению RθJC=0.20R_{\theta JC} = 0.20RθJC=0.20 °C/Вт устройство эффективно отводит тепло через изолированное основание корпуса.
- Быстрое восстановление паразитного диода: Малое значение trrt_{rr}trr (250 нс) снижает потери при работе в мостовых схемах выпрямления или синхронного выпрямления.
При проектировании печатной платы необходимо уделять особое внимание низкоиндуктивному монтажу силовых шин, так как высокая скорость переключения (dV/dt)(dV/dt)(dV/dt) может приводить к звонкам и ложным срабатываниям при неудачной топологии дорожек. Для управления затвором рекомендуется использовать драйверы с пиковым током 2–4 А, чтобы обеспечить быстрый заряд емкости CissC_{iss}Ciss и минимизировать динамические потери.
- Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
