| IXTJ4N150 | IXYS | Транзистор | Datasheet Инструкция (Скачать PDF) |
- Описание
-
Описание:
IXTJ4N150 | IXYS | Транзистор
Технические характеристики:
IXTJ4N150 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Производитель: IXYS Corporation .
Сроки поставки: 5-9 недель
Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров
Дополнительные наименования:
IXTJ4N150
CategoryMfrIXYSSeries-PackageTubeProduct StatusActiveFET TypeN-ChannelTechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)1500 VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10VRds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 2A, 10VVgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.5 nC @ 10 VVgs (Max)±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1576 pF @ 25 VFET Feature-Power Dissipation (Max)110W (Tc)Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)Mounting TypeThrough HoleSupplier Device PackageISO247Package / CaseTO-247-3Base Product NumberIXTJ4 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
