STF14N80K5 | STMicroelectronics | Транзистор

Описание:

STF14N80K5 | STMicroelectronics | Транзистор

Технические характеристики: STF14N80K5

Мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) производства STMicroelectronics, выполненный по технологии MDmesh K5.

Производитель: STMicroelectronics

Ориентировочные сроки поставки: 5-8 недель.

Точные сроки и цену уточняйте у наших менеджеров.

Артикул по производителю:

STF14N80K5 

Технические данные:

• Types of MOSFET
  N-Channel Enhancement Mode
• Transistor Polarity
  N-Channel
• Number of Channels
  Single
• Continous Drain Current
  12 A
• Drain Source Resistance
  400 to 445 Milliohm
• Drain Source Breakdown Voltage
  800 V
• Gate Source Voltage
  -30 to 30 V
• Gate Source Threshold Voltage
  3 to 5 V
• Gate Charge
  22 nC
• Power Dissipation
  30 W
• Temperature operating range
  -55 to 150 Degree C
• Package Type
  Through Hole
• Package
  TO-220FP
• Applications
  Switching applications