| STP110N8F6 | STMicroelectronics | Транзистор | Datasheet Инструкция (Скачать PDF) |
- Описание
-
Описание:
STP110N8F6 | STMicroelectronics | Транзистор
Технические характеристики:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Производитель: STMicroelectronics.
Стандартные сроки поставки: 7-9 недель
Минимальное кол-во для заказа и точные цены со сроками уточняйте у наших сотрудников
Артикул по совпадению: STP110N8F6
TypeDescriptionCategoryDiscrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETsMfrSTMicroelectronicsSeriesSTripFET™ F6Part StatusObsoleteFET TypeN-ChannelTechnologyMOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss)80 VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10VRds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 55A, 10VVgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 VVgs (Max)±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9130 pF @ 40 VFET Feature-Power Dissipation (Max)200W (Tc)Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)Mounting TypeThrough HoleSupplier Device PackageTO-220Package / CaseTO-220-3Base Product NumberSTP110Environmental & Export ClassificationsAttribute Description RoHS Status ROHS3 Compliant Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) REACH Status REACH Unaffected ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 - Аксессуары и аналоги
-
- Отзывы
-
ОтзывыЗарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.
