SiC выпрямитель

Коммутация диодов Шоттки со структурой карбида кремния от STMicroelectronics позволяет разработчикам достичь более высокого КПД и более высокой плотности мощности. Семейства SiC диодов на 650 В и 1200 В от ST, которые рассчитаны на номинальные токи от 2 до 40 А, включают в себя как промышленные, так и автомобильные компоненты в виде устанавливаемых на поверхность компонентов DPAK-HV (высокое напряжение) и компонентов, одобренных AEC-Q101 D²PAK или TO Корпуса -220AC и TO-247LL для сквозного монтажа.

Линия диодов Шоттки (JBS) из карбида кремния (SiC) на 1200 В от ST удовлетворяет потребности разработчиков в превосходной эффективности, малом весе, небольших размерах и улучшенных тепловых свойствах для высокопроизводительных приложений.

SiC-диоды ST на 1200 В обеспечивают отличное прямое напряжение (низкий V _F ) и современную прочность. Они обеспечивают дополнительный запас для достижения высокой эффективности и надежности при более низком номинальном токе и, следовательно, более низкой стоимости, в то же время снижая рабочую температуру и продлевая срок службы. Они гарантируют идеальную адаптацию к любому импульсному преобразователю питания и инвертору, где требуются экстремальная удельная мощность и эффективность, например, к импульсным источникам питания, ИБП, солнечным и моторным приводам.

Семейство SiC диодов на 1200 В от ST охватывает диапазон токов от 2 до 40 А и включает компоненты, подходящие для промышленного использования, а также одобренные AEC-Q101 компоненты для поверхностного монтажа DPAK-HV (высокое напряжение) и D²PAK или TO- Корпуса 220AC и TO-247LL для монтажа в сквозное отверстие.

Компонент ST на 1200 В SiC обеспечивает высокие стандарты и малый форм-фактор.