YAGEO - Мощные МОП-транзисторы N и P каналов

 

 

Мощные МОП-транзисторы N и P каналов

Полупроводниковые N- и P-канальные МОП-транзисторы YAGEO XSemi доступны в корпусах для поверхностного монтажа.

 

 МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) представляет собой управляемый напряжением полевой транзистор, в котором используются металлооксидные затворные электроды. Мощные МОП-транзисторы YAGEO XSemi (также известные как силовые транзисторы) отличаются низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения для различных приложений, включая аналоговые и цифровые схемы. Доступные пакеты обычно используются для поверхностного монтажа в коммерческих и промышленных целях.

В отличие от биполярных транзисторов, МОП-транзисторы электрически изолированы от токоведущего канала, что способствует снижению энергопотребления компонента. МОП-транзисторы работают в трех диапазонах напряжений: триодное, насыщения и отсечки. Уравнения ниже иллюстрируют диапазоны (нажмите, чтобы увеличить).

Рисунок: Таблица требований к площади YAGEO XSemi

Особенности/Функции
  • Корпус SMD
  • Соответствует RoHS и не содержит галогенов
  • Низкая плата за ворота
  • Максимальная рабочая температура +150°С
  • N-канальные МОП-транзисторы
    • Напряжение сток-исток от 20 В до 700 В
    • Ток утечки до 300 А, В постоянного тока при 10 В 4
  • P-Kanal-MOSFET-транзисторы
    • Напряжение сток-исток от 20 В до 700 В
    • Ток утечки до 300 А
 
  • Два N канала
    • Напряжение сток-исток 100 В
    • Ток утечки до 2,1 А
  • Асимметричный N-канал
    • Напряжение сток-исток 30 В
    • Ток утечки до 85 А
  • Дополнительные каналы N и P
    • Напряжение сток-исток 16 В, 30 В и 100 В
    • Ток утечки до 12 А
Приложения/Целевые рынки
  • Приложения низкого напряжения
  • Импульсные источники питания
  • Коммерческое и промышленное применение для поверхностного монтажа
 
  • Телекоммуникационные системы
  • Бытовая электроника

N-Channel Power MOSFETs

 

  Hersteller-Teilenummer Beschreibung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
XP2N1K2EN1 MOSFET N-CH 20V 200MA SOT723 20 V 200mA (Ta)
XP2322GN MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 20 V 2,5 A (Ta)
XP2302GN MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23 20 V 3,2 A (Ta)
XP2N075EN MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23 20 V 3,5 A (Ta)
XP2314GN MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23 20 V 3,5 A (Ta)
XP9452GG MOSFET N-CH 20V 4A SOT89 20 V 4 A (Ta)
XP2306GN MOSFET N-CH 20V 5.3A SOT23 20 V 5,3 A (Ta)
XP2318GEN MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 30 V 500mA (Ta)
XP3N045EN MOSFET N-CH 30V 4.3A SOT23 30 V 4,3 A (Ta)
XP3N035N MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23 30 V 4,5 A (Ta)
XP2306AGN MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 30 V 5 A (Ta)
XP3N028EN MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23 30 V 5,4 A (Ta)
XP2344GN MOSFET N + P CH 20V 6.4A SOT23 20 V 6,4 A (Ta)
XP3N020YT MOSFET N-CH 30V 10A PMPAK 30 V 10 A (Ta)
XP3N9R5AYT MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK 30 V 15A (Ta), 38,7A (Tc)
XP3N5R0M MOSFET N-CH 30V 17.4A 8SO 30 V 17,4A (Ta)
XP4024EM MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SO 30 V 18,5 A (Ta)
XP3N9R5AMT MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK 30 V 18A (Ta), 38,7A (Tc)
XP3NA7R2MT FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK 30 V 20,4A (Ta), 43,5A (Tc)
XP3N5R0AYT MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK 30 V 20A (Ta), 63,5A (Tc)
 
P-Channel Power MOSFETs
 
  Hersteller-Teilenummer Beschreibung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
XP2301GN MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 20 V 2,6 A (Ta)
XP2P053N MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 20 V 4,2 A (Ta)
XP2P052N MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 20 V 4 A (Ta)
XP2P038N MOSFET P-CH 20V 5A SOT23 20 V 5 A (Ta)
XP3P080N MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT23 30 V 3,2 A (Ta)
XP3P055N MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23 30 V 3,9 A (Ta)
XP3P050AG MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89 30 V 4,1 A (Ta)
XP2615GEY MOSFET P-CH 30V 5A SOT26 30 V 5 A (Ta)
XP3P050AM MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO 30 V 5,8 A (Ta)
XP3P020M MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO 30 V 9,3 A (Ta)
XP4459M MOSFET P-CH 30V 11.3A 8SO 30 V 11,3 A (Ta)
XP4459YT MOSFET P-CH 30V 12.7A PMPAK 30 V 12,7 A (Ta)
XP3P010M MOSFET P-CH 30V 13.3A 8SO 30 V 13,3 A (Ta)
XP3P010YT MOSFET P-CH 30V 14.6A PMPAK 30 V 14,6A (Ta)
XP3P7R0EM MOSFET P-CH 30V 15.5A 8SO 30 V 15,5 A (Ta)
XP3P3R0MT FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK 30 V 33,5A (Ta), 125A (Tc)
XP4P090N MOSFET P-CH 40V 3A SOT23 40 V 3 A (Ta)
XP9565GEM MOSFET P-CH 40V 6.5A 8SO 40 V 6,5 A (Ta)
XP9565BGH MOSFET P-CH 40V 17A TO252 40 V 17 A (Tc)
XP9561GI MOSFET P-CH 40V 36A TO220CFM 40 V 36 A (Tc)
 
Power MOSFET Arrays
 
  Hersteller-Teilenummer Beschreibung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
XP2531GY MOSFET N AND P-CH 16V 3.5A 2.5A 16V 3,5A (Ta), 2,5A (Ta)
XP2530AGY MOSFET N AND P-CH 30V 3.3A 2.3A 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
XP3700M MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A 30V 7,8A (Ta), 5,5A (Ta)
XP3700YT MOSFET N AND P-CH 30V 8.7A 6.1A 30V 8,7A (Ta), 6,1A (Tc)
XP3700MT MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A 30V 11A (Ta), 7,3A(Ta)
XP4509AGM MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta)
XP3C023AMT MOSFET N AND P-CH 30V 12A 10A 30V 12A (Ta), 10A (Ta)
XP3832CMT FET 2N-CH 30V 16A 55A 27A 85A 30V 16A (Ta), 55A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)
XP10A250YT MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK 100V 2,1 A (Ta)
XP10C150M MOSFET N/P-CH 100V 2.5A 8SO 100V 2,5 A (Ta)
Поставка электронных компонентов | Каталог электронных компонентов