
STMicroelectronics - SPOWER SiC MOSFET
SPOWER SiC MOSFET
Современные корпуса MOSFET компании STMicroelectronics специально разработаны для автомобильной и промышленной промышленности.
SiC MOSFET-транзисторы STPOWER компании STMicroelectronics обеспечивают повышенную эффективность и надежность широкозонных материалов для более широкого спектра энергосберегающих приложений, таких как инверторы электромобилей/гибридных транспортных средств, солнечная или ветровая энергетика, высокоэффективные приводы, источники питания и интеллектуальные сетевые устройства. Благодаря расширенному диапазону напряжений от 650 В до 1700 В эти МОП-транзисторы обеспечивают превосходные характеристики переключения в сочетании с очень низким сопротивлением открытого канала (RDS (ON) ). SiC MOSFET компании ST позволяют разрабатывать более эффективные и компактные системы, чем когда-либо прежде. SiC MOSFET-транзисторы 1200 В компании ST отличаются исключительной температурной стабильностью до +200 °C и позволяют улучшить тепловые характеристики в силовой электронике. По сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами, SiC-МОП-транзисторы также имеют значительно меньшие потери переключения при минимальных колебаниях температуры.
Основные характеристики
- Компоненты, одобренные для транспортных средств
- Очень высокая термостойкость (макс. T J = +200 °C)
- Чрезвычайно низкие потери при переключении (минимальные колебания температуры) позволяют работать на очень высоких частотах переключения
- Низкое сопротивление при перегреве
- Легко контролировать
- Защищен очень быстрым и надежным диодом подложки
Gen 3
| Manufacturer part number | Description |
|---|---|
| SCT055TO65G3 |
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| SCT040W65G3-4AG |
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
| SCT025H120G3AG |
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
| SCT040HU65G3AG | AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
| SCT055HU65G3AG | AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE |
Gen 2
| Manufacturer part number | Description |
|---|---|
| SCTW40N120G2VAG | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
| SCTWA60N120G2-4 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
| SCTW100N65G2AG | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
| SCTH90N65G2V-7 | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 |
| SCTW70N120G2V | TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247 |
Gen 1
| Manufacturer part number | Description |
|---|---|
| SCT20N120H | SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2 |
| SCT1000N170 | HIP247 IN LINE |
| SCT10N120 | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 |
| SCT50N120 | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| SCT10N120AG | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 |