Toshiba - МОП-транзисторы на основе карбида кремния 3-го поколения на 650 В и 1200 В
МОП-транзисторы на основе карбида кремния 3-го поколения на 650 В и 1200 В
Технология SiC компании Toshiba предназначена для высокоэффективных источников питания.
МОП-транзисторы Toshiba на основе карбида кремния (SiC) третьего поколения на 650 В и 1200 В предназначены для промышленных применений высокой мощности, таких как источники питания переменного/постоянного тока с входным напряжением 400 В и 800 В переменного тока , фотоэлектрические инверторы и двунаправленные преобразователи постоянного тока для источников бесперебойного питания (ИБП).
Эти МОП-транзисторы помогают снизить энергопотребление и повысить плотность мощности благодаря технологии SiC, которая позволяет устройствам иметь более высокое сопротивление напряжению, более быстрое переключение и меньшее рабочее сопротивление. Третье поколение микросхем Toshiba обеспечивает повышенную надежность. Изделия на 650 В имеют входную емкость (C ISS ) 4850 пФ (тип.), низкий входной заряд затвора (Q g ) 128 нКл (тип.) и сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R DS(ON) ) всего 15 мОм (тип.).
Изделия на 1200 В также обладают столь же низкой входной емкостью (CISS ) 6000 пФ (тип.), входным зарядом затвора (Qg ) 158 нКл (тип.) и сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (RDS (ON) ) 15 мОм (тип.).
Оба SiC MOSFET на 650 В и 1200 В размещены в стандартном трехконтактном корпусе TO-247.
- Низкие значения для R ON и R ON Qgd
- R ON *Сокращение Qgd на 80% от 2-го поколения до 3-го поколения
- Конкурентные значения для R ON *Q gd и коммутационной мощности
- Низкий VF
- Интегрированный диод Шоттки для чрезвычайно низкого напряжения
- Высокая надежность благодаря обновленной конструкции ячейки
- Большой номинальный диапазон V GSS повышает надежность конструкции и упрощает строительство
- V GSS : от -10 В до 25 В (рекомендуется: 18 В)
- Низкое сопротивление и более высокое пороговое напряжение затвора (Vth ) предотвращают неисправности, такие как случайное включение.
- Промышленные электроприводы
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Преобразователи переменного тока в постоянный и постоянного тока в постоянный
- Схемы коррекции коэффициента мощности
- Системы хранения энергии
- Солнечная энергия
- Источник бесперебойного питания (ИБП)
650V and 1,200V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs
| Manufacturer part number | Description |
|---|---|
| TW045N120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247 45MO |
| TW015N120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247 15MO |
| TW140Z120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247-4L 14 |
| TW083N65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247 83MOH |
| TW027Z65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247-4L 27 |
| TW030Z120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247-4L 3 |
| TW015N65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247 15MOH |
| TW015Z120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247-4L 1 |
| TW107Z65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247-4L 10 |
| TW107N65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247 107MO |
| TW083Z65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247-4L 83 |
| TW048N65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247 48MOH |
| TW060Z120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247-4L 6 |
| TW060N120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247 60MO |
| TW027N65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247 27MOH |
| TW030N120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247 30MO |
| TW140N120C,S1F | G3 1200V SIC MOSFET TO-247 140M |
| TW048Z65C,S1F | G3 650V SIC MOSFET TO-247-4L 48 |
| TW070J120B,S1Q | SICFET N-CH 1200V 36A TO3P |