N-канальный МОП-транзистор RY7P250BM

Мощный МОП-транзистор ROHM Semiconductor идеально подходит для контроллеров с возможностью горячей замены благодаря своей прочной конструкции.

 

RY7P250BM от ROHM Semiconductor — это мощный N-канальный МОП-транзистор с низким внутренним сопротивлением в высокопроизводительном корпусе DFN8080-8S. Благодаря прочной конструкции и широкому диапазону безопасной работы этот прибор идеально подходит для требовательных приложений, в частности, для контроллеров с возможностью горячей замены.

Особенности/Функции
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии
  • Мощный пакет (DFN8080)
  • Покрытие без свинца, соответствует RoHS
  • Без галогенов
  • Полностью протестировано RG и UIS
  • Широкий безопасный рабочий диапазон
Приложения/Целевые рынки
  • Серверные системы искусственного интеллекта 48 В и схемы электропитания с возможностью горячей замены в центрах обработки данных
  • Системы электропитания 48 В для промышленного оборудования (погрузчиков, электроинструментов, роботов и двигателей вентиляторов)
 
  • Промышленные системы с питанием от аккумуляторных батарей, такие как беспилотные транспортные системы (AGV)
  • ИБП и системы аварийного электропитания (резервные аккумуляторные батареи)

RY7P250BM N-Channel FET

 

  Abbildung Hersteller-Teilenummer Beschreibung FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss)
NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE RY7P250BMTBC NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 100 V