Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

 

 

N-канальные силовые МОП-транзисторы L-TOGL автомобильного класса 40 В

N-канальные силовые МОП-транзисторы Toshiba AEC-Q 40 В, 400 А предлагаются в корпусе L-TOGL.

Изображение N-канальных силовых МОП-транзисторов Toshiba AEC-Q в корпусе L-TOGL™

N-канальные силовые МОП-транзисторы Toshiba XPQR3004PB и XPQ1R004PB с напряжением 40 В достигают сверхнизкого сопротивления открытого состояния, высокого номинального тока стока и высокого тепловыделения за счет сочетания блока L-TOGL с высоким тепловыделением (большие выводы транзистора в форме крыла чайки) с U-образным выводом U. -Процесс чипа MOS IX-H.

Корпус L-TOGL по размеру эквивалентен существующему корпусу TO-220SM(W), однако XPQR3004PB значительно улучшил номинальный ток и значительно снизил сопротивление в открытом состоянии до типичного значения 0,23 мОм. Оптимизированная площадь корпуса L-TOGL также помогает улучшить тепловые характеристики по сравнению с корпусом TO-220SM(W) того же размера.

Благодаря сочетанию этих функций продукция Toshiba обеспечивает высокий ток и высокую теплоотдачу, что помогает повысить удельную мощность в широком спектре автомобильных приложений.

Функции
  • Соответствует AEC-Q101
  • Низкое сопротивление включения сток-исток:
    • XPQR3004PB R DS(ON) = 0,23 мОм (тип.) (В GS = 10 В)
    • XPQ1R004PB R DS(ON) = 0,80 мОм (тип.) (В GS = 10 В)
  • Низкий ток утечки: I DSS = 10 мкА (макс.) (В DS = 40 В)
  • Режим расширения: V th = от 2,0 В до 3,0 В (V DS = 10 В, I D = 1,0 мА)
Приложения
  • Автомобильная промышленность
  • Импульсные регуляторы напряжения
  • Водители моторов
  • Преобразователи постоянного тока в постоянный

 

AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package

  Image Manufacturer Part Number Description
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM XPQ1R004PB,LXHQ 40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM XPQR3004PB,LXHQ 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM