650 V GaN HEMTs
HEMT от ROHM повышают эффективность и миниатюризацию в широком спектре систем электропитания, включая серверы и адаптеры переменного тока.
HEMT GNP1070TC-Z и GNP1150TCA-Z компании ROHM на 650 В из нитрида галлия (GaN) оптимизированы для широкого спектра применений в системах электропитания. Эти продукты разработаны совместно с Ancora Semiconductors, Inc., дочерней компанией Delta Electronics, Inc., которая занимается разработкой устройств на основе GaN.
Повышение эффективности источников питания и двигателей, на которые приходится большая часть мирового потребления электроэнергии, стало серьезным препятствием на пути к декарбонизации общества. Использование новых материалов, таких как GaN и SiC, является ключом к повышению эффективности источников питания.
После запуска в 2022 году массового производства GaN HEMT на 150 В с напряжением пробоя затвора 8 В в 2022 году, в марте 2023 года компания ROHM внедрила технологию управляющих ИС для максимизации производительности GaN. На этот раз компания ROHM разработала GaN HEMT на 650 В, обладающую лучшими на рынке характеристиками, которые способствуют более высокой эффективности и меньшим размерам в более широком диапазоне систем электропитания.
650 V GaN HEMTs
| Image | Manufacturer Part Number | Description | FET Type | Technology | Drain to Source Voltage (Vdss) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
GNP1070TC-ZE2 | ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V |
|
|
GNP1150TCA-ZE2 | ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V |