NTBG070N120M3S МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC)
SiC MOSFET onsemi NTBG070N120M3S — это EliteSiC, 65 мОм, 1200 В с технологией M3S в корпусе D2PAK-7L.
МОП-транзисторы M3S SiC MOSFET onsemi NTBG070N120M3S 1200 В оптимизированы для приложений с быстрым переключением. Они не допускают отрицательного напряжения на затворе и скачков напряжения на затворе благодаря планарной технологии. МОП-транзисторы NTBG070N120M3S достигают максимальной производительности при 18 В, но сохраняют гибкость при 15 В.
Функции
- Пакет D2PAK-7L с конфигурацией источника Кельвина
- Отличный ФОМ [ = R DS(ON) * E OSS ]
- Сверхнизкий заряд затвора (Q g(tot) = 57 нКл)
- Высокоскоростное переключение с низкой емкостью (C OSS = 57 пФ)
- Привод ворот от 15 В до 18 В
- Технология M3S: 65 мОм R DS(ON) с низкими потерями E во включенном и выключенном состоянии.
- 100% лавинное тестирование
- Не содержит галогенидов и соответствует требованиям RoHS
Приложения
- Промышленный
- Industrial
NTBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
| IMAGE | MANUFACTURER PART NUMBER | DESCRIPTION | FET TYPE | TECHNOLOGY | DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (VDSS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
NTBG070N120M3S | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 1200 V |