О компании Toshiba
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (TDSC) — это подразделение по производству полупроводников, являющееся сердцем корпорации Toshiba. Более 23 000 сотрудников в многочисленных производственных, инженерных и торговых подразделениях разрабатывают и продвигают продукцию мирового класса. Toshiba предлагает инженерам-разработчикам и их проектам широкий спектр инновационных полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, IoT, систем управления движением, телекоммуникаций, сетей, потребительских товаров и бытовой техники.
Широкий портфель продукции Toshiba включает силовые полупроводники и другие дискретные устройства, от диодов до логических ИС, силовых MOSFET-транзисторов, оптических полупроводников, а также устройства управления двигателями и специализированные стандартные продукты (ASSP) и многое другое. Toshiba специализируется на проектировании силовых систем и решениях для управления двигателями; клиенты получают выгоду от более чем 40-летнего опыта в оптимизации решений по плотности мощности и эффективности. Мы продолжаем расширять ассортимент продукции и производственные мощности, чтобы удовлетворить потребности клиентов.
|
2SK208-GR(TE85L,F) |
JFET Transistor |
50 V |
6.5 mA |
5 V |
|
TC7SH32F,LJ(CT |
Logic IC |
OR Gate |
Single |
2 Inputs |
|
TK7P60W,RVQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
7:00 AM |
|
1SV324(TPH3,F) |
Variable Capacitance Diode |
8 pF |
10 V |
125 °C |
|
TC7SH125FU,LJ(CT |
Buffer |
TC7SH |
SSOP-5 |
2 V to 5.5V |
|
SSM6N57NU,LF(T |
Dual MOSFET |
N Channel |
30 V |
30 V |
|
TCR2LF15,LM(CT |
LDO Voltage Regulator |
Fixed |
1.5V to 5.5V |
620mV Drop |
|
TC7SZ08FE,LJ(CT |
Logic IC |
AND Gate |
Single |
2 Inputs |
|
TK380P60Y,RQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
9.7 A |
|
TLX9906(TEE-TL,F(O |
Optocoupler |
1 Channel |
SOP |
4 Pins |
|
TPWR8503NL,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
300 A |
|
RFM04U6P(TE12L,F) |
RF FET Transistor |
16 V |
2:00 AM |
7 W |
|
TK46E08N1,S1X(S |
Power MOSFET |
N Channel |
80 V |
80 A |
|
SSM14N956L,EFF(S |
Dual MOSFET |
N Channel |
1000 µohm |
|
|
HN4B102J(TE85L,F) |
Bipolar Transistor Array |
NPN |
PNP |
30 V |
|
TK8P60W,RVQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
8:00 AM |
|
TK110U65Z,RQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
650 V |
24 A |
|
TPH1400CQH,LQ(M1 |
Power MOSFET |
N Channel |
150 V |
32 A |
|
TK16V60W5,LVQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
15.8 A |
|
TPH7R506NH,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
60 V |
55 A |
|
TK290A60Y,S4X(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
11.5 A |
|
TW048N65C,S1F(S |
Silicon Carbide MOSFET |
Single |
N Channel |
40 A |
|
TPH5R60APL,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
100 V |
110 A |
|
TK60J25D,S1Q(O |
Power MOSFET |
N Channel |
250 V |
60 A |
|
TPH14006NH,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
60 V |
34 A |
|
TK31A60W,S4VX(M |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
30.8 A |
|
TK28N65W5,S1F(S |
Power MOSFET |
N Channel |
650 V |
27.6 A |
|
TPW5200FNH,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
250 V |
27 A |
|
TPH6R003NL,LQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
57 A |
|
TPN4800CQH,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
150 V |
29 A |
|
TK16G60W5,RVQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
15.8 A |
|
TPH4R003NL,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
68 A |
|
TPH6R004PL,LQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
40 V |
87 A |
|
TK380A60Y,S4X(S |
Power MOSFET |
N Channel |
600 V |
9.7 A |
|
TPH6R008QM,LQ(M1 |
Power MOSFET |
N Channel |
80 V |
59 A |
|
TK190U65Z,RQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
650 V |
15 A |
|
TPH2R003PL,LQ(S |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
100 A |
|
TW045N120C,S1F(S |
Silicon Carbide MOSFET |
Single |
N Channel |
40 A |
|
TPHR9203PL1,LQ(M |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
320 A |
|
TK155A65Z,S4X(S |
Power MOSFET |
N Channel |
650 V |
18 A |
|
TPN13008NH,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
80 V |
40 A |
|
TPH3R203NL,L1Q(M |
Power MOSFET |
N Channel |
30 V |
84 A |
|
HN1C03FU-B,LF(T |
Bipolar Transistor Array |
Dual NPN |
20 V |
300 mA |
|
TC74LCX16245(EL,F) |
Transceiver |
TC74LCX16245 |
2 to 3.6 V Supply |
-40 °C to 125 °C |
|
SSM6J402TU,LF(T |
Power MOSFET |
P Channel |
30 V |
2:00 AM |
|
HN1B04FE-Y,LXHF(T |
Bipolar Transistor Array |
NPN |
PNP |
50 V |
|
RN2301,LXHF(T |
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor |
PNP |
50 V |
100 mA |
|
2SA1832-Y,LXHF(T |
Bipolar (BJT) Single Transistor |
PNP |
50 V |
150 mA |
|
SSM3K62TU,LXHF(T |
Power MOSFET |
N Channel |
20 V |
800 mA |
|
SSM3K62TU,LXHF(T |
Power MOSFET |
N Channel |
20 V |
800 mA |
