Диоды с низкими потерями 1200 В для систем питания высокой плотности
Семейство диодов Taiwan Semiconductor поддерживает работу с высокими токами и обеспечивает тепловую надежность благодаря множеству вариантов корпусов.

Изображение диодов Taiwan Semiconductor с низкими потерями 1200 В для систем питания высокой плотности. Диоды Taiwan Semiconductor с низкими потерями 1200 В разработаны для удовлетворения требований к эффективности и надежности высоковольтных систем преобразования энергии. Разработанные для работы с высокими токами, эти диоды помогают минимизировать потери постоянного тока, способствуя повышению энергоэффективности в плотных и тепловых средах.

С номинальными токами от 15 А до 60 А и максимальной температурой перехода +175°C эти диоды обеспечивают стабильную электрическую производительность в повышенных условиях эксплуатации. Их низкие потери делают их хорошо подходящими для современных силовых архитектур, требующих стабильной эффективности в широком диапазоне нагрузок и длительного срока службы.

Для поддержки разнообразных системных требований серия диодов с низкими потерями на 1200 В предлагается в нескольких вариантах корпусов, включая ThinDPAK, D2PAK-D и TO-247BD. Эти варианты корпусов обеспечивают гибкое управление тепловыми процессами и оптимизацию компоновки, позволяя разработчикам сбалансировать плотность мощности, стратегию охлаждения и механические ограничения в современных силовых схемах.

Характеристики
Планарная технология
Конструкция диода с низкими потерями для уменьшения потерь проводимости
Высокая токовая нагрузка от 15 А до 60 А
Максимальная температура перехода до +175°C
Доступны в корпусах ThinDPAK, D2PAK-D и TO-247BD
Соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов
Применение
Системы зарядки электромобилей
Трехфазные преобразователи переменного/постоянного тока
Бесмостовые топологии коррекции коэффициента мощности с двухполюсной схемой
Источники питания для центров обработки данных и серверов
Системы электропитания для телекоммуникаций
Промышленные преобразователи мощности высокой плотности
Диоды с низкими потерями на 1200 В для систем питания высокой плотности