Низковольтные MOSFET-транзисторы серии UMOS 11
Низковольтные MOSFET-транзисторы Toshiba серии UMOS11 обеспечивают эффективное переключение, снижение потерь и возможность создания более совершенных конструктивных решений.

Изображение низковольтных MOSFET-транзисторов Toshiba серии UMOS11. Технологический процесс Toshiba UMOS-11 для низковольтных транзисторов разработан с целью помочь инженерам удовлетворить растущие требования к энергоэффективности, компактности конструкции и надежности переключения.

Благодаря усовершенствованной траншейной структуре транзисторы UMOS 11 демонстрируют более низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(on), уменьшенные значения зарядов Qoss и QRR, а также улучшенные общие характеристики переключения. Это делает их оптимальным выбором для широкого спектра применений: от DC/DC-преобразователей и приводов электродвигателей до блоков питания серверов и других импульсных источников питания.

Данная серия охватит широкий диапазон рабочих напряжений — от 40 В до 100 В — и будет доступна в корпусах размером 5 x 6 мм и 3 x 3 мм.

Особенности
Минимальное сопротивление в открытом состоянии в данной серии составляет 0,52 мОм (макс.) при VGS = 10 В
Низкие значения произведений RDS(ON) × QOSS и RDS(ON) × QRR
Высокая эффективность работы в импульсных источниках питания

Жесткий допуск по пороговому напряжению, обеспечивающий надежность эксплуатации
Встроенный высокоскоростной диод, позволяющий снизить потери при обратном восстановлении
Возможность работы при высоких температурах — до +175°C
Области применения
DC/DC-преобразователи
Импульсные источники питания (для серверов центров обработки данных, телекоммуникационного оборудования и др.)
Системы управления электродвигателями
Коммутация нагрузки