SiC выпрямитель

Переключение диодов Шоттки со структурой карбида кремния от STMicroelectronics позволяет разработчикам достичь более высокого КПД и более высокой плотности мощности. Семейства SiC диодов на 650 В и 1200 В от ST, рассчитанные на номинальные токи от 2 до 40 А, включают в себя как промышленные, так и автомобильные компоненты в компонентах, предназначенных для поверхностного монтажа DPAK-HV (высокое напряжение) и одобренных AEC-Q101. Корпуса D²PAK или TO-220AC и TO-247LL для монтажа в сквозное отверстие.

Линия диодов Шоттки (JBS) из карбида кремния (SiC) на 1200 В от ST удовлетворяет потребности разработчиков в превосходной эффективности, легком весе, небольших размерах и улучшенных тепловых свойствах для высокопроизводительных приложений.

SiC-диоды ST на 1200 В обеспечивают отличное прямое напряжение (низкий V _F ) и самую современную прочность. Они обеспечивают дополнительный запас для достижения высокой эффективности и надежности при более низком номинальном токе и, следовательно, более низкой стоимости, снижая при этом рабочую температуру и продлевая срок службы приложения. Они гарантируют идеальную адаптацию к любому преобразователю импульсного источника питания и инвертору, где требуется максимальная удельная мощность и эффективность, таким как SMPS, UPS, солнечные и моторные приводы.

Семейство SiC диодов на 1200 В от ST охватывает диапазон тока от 2 до 40 А и включает компоненты, подходящие для промышленного использования, а также одобренные AEC-Q101 компоненты для поверхностного монтажа DPAK-HV (высокое напряжение) и D²PAK или Корпуса TO-220AC и TO-247LL для монтажа в сквозные отверстия.

Компонент ST на 1200 В SiC обеспечивает высокие стандарты и малый форм-фактор.