Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
271 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IGD70R200D2SAUMA1 | Infineon Technologies | GANFET N-CH 700V 7.3A T0252-3
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
272 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RH7L04BBJFRATCB | Rohm Semiconductor | PCH -60V -40A, DFN3333T8LSAB, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
272 руб.
Производитель: Diotec Semiconductor
Количество на складе: 0
DI056N10D2 | Diotec Semiconductor | MOSFET, D2PAK, N, 100V, 56A
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
273 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJQ5516S6C-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
276 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVTFS4C05NTAG | onsemi | NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
277 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MDTU380N65H-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
277 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG047FLS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 60V 89A, HPLF5060T5LSAH, POW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
277 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVTFS5C453NLTAG | onsemi | T6 40V NCH LL IN U8FL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
278 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG042FGS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
280 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG142FGS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
281 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG052FPS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 100V 58A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RH7G04BBLFRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 40V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
285 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RH7L04BBLFRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
286 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
AG145FLS4FRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 60V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
288 руб.
Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
Количество на складе: 0
TSM075NH10CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
288 руб.
Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
Количество на складе: 0
TSM075NH10LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | 100A, 100V, SINGLE, N-CHANNEL LO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
289 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RH7P04BBLFRATCB | Rohm Semiconductor | NCH 100V 40A, DFN3333T8LSAB, POW
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
289 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6044C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
290 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MCAC015P06YQ-TP | MCC (Micro Commercial Components) | P-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
291 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS6L090BHTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
291 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
SPD15P10PGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
293 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE031N08LM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
295 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUCN08S7L033ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(75V 120V(
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
296 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE012N03LM5CGATMA1 | Infineon Technologies | IQE012N03LM5CGATMA1
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов