Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
297 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
300 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE020N04LM6CGATMA1 | Infineon Technologies | IQE020N04LM6CGATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
302 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ590EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
309 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IAUCN10S5L110TATMA1 | Infineon Technologies | IAUCN10S5L110TATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
309 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJQ116EL-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
311 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SQJ136ER-T1_GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
312 руб.
Производитель: ROHM Semiconductor
Количество на складе: 0
RS6G122CGTB1 | Rohm Semiconductor | NCH 40V 225A, HSOP8, POWER MOSFE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
312 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H300G4LSG-TR | Renesas Electronics Corporation | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
315 руб.
Производитель: STMicroelectronics
Количество на складе: 0
SGT350R70GTK | STMicroelectronics | 700 V, 270 MOHM TYP., 6 A, E-MOD
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
316 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H300G4JSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 300MOHM GAN FET IN 5X6 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
316 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IPF019N10NM8ATMA1 | Infineon Technologies | IPF019N10NM8ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
317 руб.
Производитель: MCC (Micro Commercial Components)
Количество на складе: 0
MCAC180N04Y-TP | MCC (Micro Commercial Components) | N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
320 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP70H300G4LSGB-TR | Renesas Electronics Corporation | 700V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
323 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP65H300G4LSGBE-TR | Renesas Electronics Corporation | 650V, 300MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
327 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
329 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE020N04LM6CGSCATMA1 | Infineon Technologies | IQE020N04LM6CGSCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
332 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVMFS5C423NLWFET1G | onsemi | T6 40V NCH LL IN SO8FL
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
335 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQE012N03LM5CGSCATMA1 | Infineon Technologies | IQE012N03LM5CGSCATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
336 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
340 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC040N10NM7ATMA1 | Infineon Technologies | ISC040N10NM7ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
343 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
ISC015N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | ISC015N06NM5ATMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
348 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6045C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
349 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
RBE029N10R1SZN6#HB0 | Renesas Electronics Corporation | MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
349 руб.
Производитель: Panjit International Inc.
Количество на складе: 0
PJQ5514S6C-AU_R2_002A1 | Panjit International Inc. | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов