Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
556 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHK065N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
560 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6125C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFAST SINGLE 650V 175MOHM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
560 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6125C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFAST SINGLE 650V 175MOHM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
583 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMBT120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SIC DISCRETE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
584 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6127C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
584 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6127C | Navitas Semiconductor, Inc. | GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
585 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | RJK6014DPP-A0#T2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
587 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
RJK5014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | RJK5014DPP-A0#T2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
632 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP65H030G4PYS | Renesas Electronics Corporation | 650V, 30MOHM GAN FET IN TO247-4L
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
638 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
SIHK050N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
639 руб.
Производитель: YAGEO XSEMI
Количество на складе: 0
XP65SL045AFWL | YAGEO XSEMI | MOS N 650V 45MOHM TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
648 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF060120T1A0HP | Nexperia USA Inc. | 1200 V, 60 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
655 руб.
Производитель: iDEAL Semiconductor
Количество на складе: 0
IS15M7R1S1C | iDEAL Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
662 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC060SMB120SDT/R | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
669 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6135A-RA | Navitas Semiconductor, Inc. | GANSENSE SINGLE 700V 210MOHM PQ
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
669 руб.
Производитель: Navitas Semiconductor, Inc.
Количество на складе: 0
NV6135A | Navitas Semiconductor, Inc. | GANSENSE SINGLE 700V 210MOHM PQ
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
676 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
TP65H035G4YS | Renesas Electronics Corporation | 650V, 35MOHM GAN FET IN TO247-4L
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
680 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF060120T1A0-QHP | Nexperia USA Inc. | NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
686 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0080120T | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
686 руб.
Производитель: Renesas Electronics Corporation
Количество на складе: 0
RJK5013DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | RJK5013DPP-A0#T2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
687 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0080120J | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
699 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S3M0080120B | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
700 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
E4M0025075U2-TR | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET,25M,750V, TSC (U2) ,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
703 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S1M0060065T | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 650V
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов