Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
724 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMBT120R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SIC DISCRETE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
731 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
V961-0016-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 600V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
732 руб.
Производитель: Bosch
Количество на складе: 0
BT1M1200050D7A | Bosch | BT1M1200050D7A - 1200V SIC POWER
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
732 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S1M0060065J | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 650V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
744 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXP120A045SE-T1GE3 | Vishay Siliconix | SIC FET,INDUSTRIAL, 1200V, 45M,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
773 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMBT120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SIC DISCRETE
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
781 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXPQ120A045SE-1GE3 | Vishay Siliconix | SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
791 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXP120A045SW-GE3 | Vishay Siliconix | SIC FET,INDUSTRIAL, 1200V, 45M,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
798 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXP120A045SL-GE3 | Vishay Siliconix | SIC FET,INDUSTRIAL, 1200V, 45M,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
800 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF040120T1A1-QHP | Nexperia USA Inc. | NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
825 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC350B | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 400V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
825 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC045SMB120SDT/R | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 45 MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
829 руб.
Производитель: Goford Semiconductor
Количество на складе: 0
GC060N65QF | Goford Semiconductor | MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
830 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
MXPQ120A045SW-GE3 | Vishay Siliconix | SIC FET, AUTO-GRADE, 1200V, 45M,
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
842 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC360B | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 400V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
862 руб.
Производитель: iDEAL Semiconductor
Количество на складе: 0
IS20M5R5S1H | iDEAL Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
889 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC264B | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 250V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
896 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC040SMB120SDT/R | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
897 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC22N50AB | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
898 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AUIRFP4568-EXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET_(120V 300V)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
908 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC260B | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
931 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF030120T1A0-QHP | Nexperia USA Inc. | NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
951 руб.
Производитель: Vishay Siliconix
Количество на складе: 0
IRFC054B | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
963 руб.
Производитель: Bruckewell
Количество на складе: 0
HMHL065N185C | Bruckewell | GAN HEMT,650V,12A,185M,CASCODE,D
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов