Каталог транзисторов

Каталог транзисторов

Дискретные транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые служат «кирпичиками» современной электроники. В отличие от интегральных микросхем (где на одном кристалле объединены тысячи элементов), дискретный прибор представляет собой самостоятельное устройство в индивидуальном корпусе, выполняющее одну конкретную функцию.

Физический принцип работы

Транзистор состоит из монокристаллического полупроводника (чаще всего кремния или германия) и содержит не менее трех областей с различной проводимостью: электронной (nnn-типа) и дырочной (ppp-типа). Главная особенность прибора заключается в его способности малым входным током или напряжением управлять значительно большим током в выходной цепи. Это достигается за счет изменения проводимости полупроводникового канала под воздействием внешнего электрического поля.

Основные типы транзисторов

Тип Принцип управления Ключевые особенности
Биполярные (BJT) Управление током базы Имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор. Отличаются высоким коэффициентом усиления по току. Идеальны для линейных усилителей звуковой частоты и аналоговой техники. Делятся на NPN и PNP структуры.
Полевые (FET / MOSFET) Управление электрическим полем (напряжением на затворе) Имеют выводы: исток, сток и затвор. Обладают очень высоким входным сопротивлением и низким энергопотреблением в статическом режиме. Являются основой цифровой логики и импульсных источников питания. Подразделяются на МОП-транзисторы (MOSFET) и транзисторы с управляющим p−np-npn переходом (JFET).
Биполярные с изолированным затвором (IGBT) Сочетают свойства BJT и MOSFET Объединяют управляющее напряжение полевого транзистора с высокой нагрузочной способностью биполярного. Применяются в силовой электронике большой мощности: частотных преобразователях, сварочных аппаратах и тяговых приводах электромобилей.

Функциональное назначение

В зависимости от схемы включения транзисторы используются для:

  • Усиления: слабых электрических сигналов (в радиоприемниках, аудиоусилителях).
  • Коммутации (ключей): быстрого включения и выключения тока (основа всей вычислительной техники, блоков питания и драйверов электродвигателей).
  • Генерирования: создания незатухающих колебаний (в генераторах частоты).
  • Преобразования: изменения параметров сигнала (модуляция, демодуляция).

Классификация и конструктивное исполнение

По назначению дискретные транзисторы делятся на:

  • Маломощные: для обработки сигналов в бытовой и измерительной технике.
  • Средней мощности: промежуточные каскады усиления и ключи общего назначения.
  • Мощные: силовая электроника, где токи достигают сотен ампер, а напряжения — киловольт.
  • Высокочастотные (СВЧ): для телекоммуникаций, радаров и спутниковой связи.

Конструктивно они выпускаются в пластиковых корпусах (например, TO-92, SOT-23), металлических (TO-3, TO-220) или бескорпусном исполнении (кристаллы для монтажа непосредственно на плату). Для силовых приборов критически важна конструкция теплоотводящего фланца.

Преимущества перед другими компонентами

  1. Универсальность: возможность подобрать компонент с точными параметрами (напряжение, ток, частота, тепловое сопротивление) под конкретную задачу.
  2. Ремонтопригодность: вышедший из строя транзистор легко заменить, не меняя всю печатную плату, что невозможно при выходе из строя сложной микросхемы.
  3. Надежность: качественные дискретные элементы устойчивы к перегрузкам и имеют длительный срок службы.
  4. Экономичность: часто сборка узла на дискретных компонентах обходится дешевле использования специализированной дорогостоящей микросхемы.

Благодаря этим свойствам дискретные транзисторы остаются незаменимыми в промышленной автоматике, автомобильной электронике, системах возобновляемой энергетики и медицинском оборудовании, несмотря на повсеместное распространение микроэлектроники.

Сортировка:
orderby
Количество:
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 508 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT10M19BVRPB | Microchip Technology | MOSFET MOS 5 100 V 19 MOHM TO-24
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 549 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GP3T016A120TS | SemiQ | GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 562 руб.
Производитель: SemiQ
Количество на складе: 0
GP3T014A120H | SemiQ | GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 637 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMZA75R033M2HXKSA1 | Infineon Technologies | AIMZA75R033M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 653 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT5015BVFRPB | Microchip Technology | FREDFET MOS 5 500 V 150 MOHM TO-
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 742 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
MSC020SMB120SDT/RM | Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 20 MOHM TO-263
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 742 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMBG75R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | AUTOMOTIVE SIC MOSFET 750V G2
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 778 руб.
Производитель: IXYS
Количество на складе: 0
IXTH1R4N250P3 | IXYS | DISCRETE MOSFET 1.4A 2500V P3 TO
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 841 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S4M0012120K | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 853 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVBG070N120M3S-IE | onsemi | SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM M3S 1200
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 873 руб.
Производитель: SMC Diode Solutions
Количество на складе: 0
S4M0009075K | SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 750V
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 910 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C3M0021120U2-TR | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET,21M,1200V, TSC (U2),
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 934 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMZA75R025M2HXKSA1 | Infineon Technologies | AIMZA75R025M2HXKSA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
1 961 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NVH4L070N120M3S-IE | onsemi | SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 000 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMDQ75R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | IMDQ75R020M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 003 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
E3M0021120U2-TR | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET,21M,1200V, TSC (U2)
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 093 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
AIMDQ75R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | AIMDQ75R020M2HXTMA1
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 132 руб.
Производитель: Nexperia USA Inc.
Количество на складе: 0
NSF017120T1A0-QHP | Nexperia USA Inc. | NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 188 руб.
Производитель: onsemi
Количество на складе: 0
NTHL012N065M3S | onsemi | SIC MOS TO247-3L 12MOHM 650V M3S
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 220 руб.
Производитель: Luminus Devices Inc.
Количество на складе: 0
AMR020V120H2 | Luminus Devices Inc. | 1200V 20MR, TO-247-4L, INDUSTRIA
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 576 руб.
Производитель: IXYS
Количество на складе: 0
IXTA1N170DHV-TRL | IXYS | MOSFET DISCRETE TO-263HV
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 608 руб.
Производитель: Microchip Technology
Количество на складе: 0
APT50M75B2LLPB | Microchip Technology | MOSFET MOS 7 500 V 75 MOHM TO-24
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 838 руб.
Производитель: Infineon Technologies
Количество на складе: 0
IMDQ75R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SILICON CARBIDE MOSFET
Отзывов (0)
Цену и сроки уточняйте у менеджеров +7(495) 123-33-70, (916) 587-47-21.
2 935 руб.
Производитель: Wolfspeed, Inc.
Количество на складе: 0
C3M0016120U2-TR | Wolfspeed, Inc. | SIC, MOSFET,16M,1200V, TSC (U2),
Copyright www.maxx-marketing.net

Цены, указанные на сайте, носят информационный характер и не являются публичной офертой, для уточнения актуальных цен свяжитесь с нашими специалистами.

!!! В связи с постоянным изменением курса Евро и Доллара цены на сайте могут быть неточными. Просьба, уточняйте текущую цену на интересующий вас товар у менеджера.

!!!! Приведенные изображение на сайте лишь иллюстрация. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

СМК компании соответствует требованиям ГОСТ Р ИСО 9001:2015 (ISO 9001:2015) и ГОСТ Р ИСО 14001-2016 (ISO 14001:2015) 

 
 
Коннект Маркет © ( www.konnect-market.ru ) 2004-2026
© Все права защищены.
                       
Мировой каталог электронных компонентов